전자공학부

1) 교육 목표: TCAD 시뮬레이션을 통한 MOSFET 구조 형성 및 전기적 특성 해석

2) 교육 개요
① 일  시: 2023. 12. 26(화) ~ 29(금) 10:00 ~ 18:00　
② 강  사: 금오공과대학교 전자공학부 반도체시스템전공 석오균 교수
③ 장  소: 금오공과대학교 디지털관 317호
④ 대  상: 금오공과대학교 전자공학부 반도체시스템전공 3학년
⑤ 주  관: 반도체인프라활용 현장인력양성사업

3) 교육 내용: 
① MOSFET 동작 이론
② MOSFET 일괄공정 소개
③ Sentaurus TCAD 사용방법 설명
; Sentaurus Work Bench
; Sentaurus Device Editor
; Sentaurus Process
; Sentaurus Device
; Sentaurus Visual
; Inspect
; Sentaurus Mesh
④ MOSFET의 구조 분석 및 특성 해석
⑤ Hot carrier effect, Snap back, DIBL, Short channel effect 실습
⑥ 팀별 주제 선정 후 시뮬레이션 수행
⑦ 팀프로젝트 수행 결과 발표

4) 수료 조건:
- 출석율 80% 이상, 시험 70점 이상인 경우 한국반도체산업협회장 명의의 수료증 발급

5) 신청 방법 및 선발 기준:
- 아래 url (MS form)을 통해 10명 선발
- https://forms.office.com/r/dJ6zd1aXiv
신청 기간: 2023년 11월 20일(월) 10:00  ~ 24일(금) 17:00
- 선발기준: 반도체물리 성적(50점) + 본 교육 신청 순서(50점)

6) 기타 사항:
- 교육비: 100% 무료
- 교육 기간 중 중식 식권, 다과, 주차권 지원